部分材料性质
半导体与绝缘体
Si
|
GaAs
|
Ge
|
αSiC
|
SiO2
|
Si3N4
|
|
密度(g/cm3)
|
2.33
|
5.32
|
5.32
|
3.21
|
2.2
|
3.1
|
击穿场强(MV/cm)
|
0.3
|
0.5
|
0.1
|
2.3
|
10
|
10
|
介电常数
|
11.7
|
12.9
|
16.2
|
6.52
|
3.9
|
7.5
|
禁带宽度(eV)
|
1.12
|
1.42
|
0.66
|
2.86
|
9
|
5
|
电子亲和能(eV)
|
4.05
|
4.07
|
4
|
|
0.9
|
|
折射率
|
3.42
|
3.3
|
3.98
|
2.55
|
1.46
|
2.05
|
熔点(℃)
|
1412
|
1240
|
937
|
2830
|
~1700
|
~1900
|
比热容(J/(g•℃))
|
0.7
|
0.35
|
0.31
|
|
1
|
|
热导率(W/(cm•℃))
|
1.31
|
0.46
|
0.6
|
|
0.014
|
|
热扩散系数(cm2/s)
|
0.9
|
0.44
|
0.36
|
|
0.006
|
|
热膨胀系数(*10-6)
|
2.6
|
6.86
|
2.2
|
2.9
|
0.5
|
2.7
|
金属
Al
|
Cu
|
Au
|
TiSi2
|
PtSi
|
|
密度(g/cm3)
|
2.7
|
8.89
|
19.3
|
4.043
|
12.394
|
电阻率(μΩ•cm)
|
2.82
|
1.72
|
2.44
|
14
|
30
|
温度系统
|
0.0039
|
0.0039
|
0.0034
|
4.63
|
|
对n-si的热量(eV)
|
0.55
|
0.60
|
0.75
|
0.60
|
0.85
|
热导率(W/(cm•℃))
|
2.37
|
3.98
|
3.15
|
|
|
熔点(℃)
|
659
|
1083
|
1063
|
1540
|
1229
|
比热容(J/(g•℃))
|
0.90
|
0.39
|
0.13
|
|
|
热膨胀系数(*10-6)
|
25
|
16.6
|
14.2
|
12.5
|
|
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