北京汇德信科技有限公司

Laser MBE

Laser MBE


Laser MBE
Laser MBE


特点


  • 模块化概念,Laser MBE可以轻松升级到中央传输模块或其他模块
  • UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输
  • 先进的工艺自动化功能,可实现超晶格生长
  • 温度测量准确的耐氧衬底加热器,最高1000 ℃,也可以选配激光加热
  • 靶台可以屏蔽交叉污染,传输整个carrousel而非单个靶材
  • 真空腔室利于系统升级(RHEED,等离子体源,OES/FTIR等)
  • SURFACE激光能量密度控制选件,100%的结果可重复性
  • 全封闭光路,安全省事
  • 整套交付,先进的在线支持


PLD/Laser MBE腔室


PLD/Laser MBE腔室
PLD/Laser MBE腔室


SURFACE的Laser MBE腔室专为科研而设计,并提供高级Laser MBE需要的所有特征。


  • 衬底和靶材的UHV传输
  • 冷壁设计防止沉积过程中腔壁放气
  • 原位分析窗口和法兰口(RHEED,OES或FTIR,质谱仪)
  • 沉积源和等离子体源备用法兰口
  • 先进的SURFACE衬底加热器或激光加热
  • 靶台最多可存贮5个1寸靶材


激光能量密度控制


激光能量密度控制
激光能量密度控制


Laser MBE可以选配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以确保薄膜沉积的重复性。在每一步沉积前,自动校准激光能量密度,脉冲能量随着时间推移而始终保持恒定。


Load Lock


Loadlock腔室最多可同时装载5个样品和2个靶台carrousel。


激光加热器


根据实际需求选择两种不相同类型的二极管激光器(940nm)或CO 2激光器(1064nm),并且还可以作为以下多种应用:薄膜沉积工艺、表面科学分析中的原位加热、材料测试、SEM 和 TEM 显微镜中的原位加热 等。


激光加热器
激光加热器


  • 结构紧凑、高度灵活
  • 高温不受工艺气氛限制
  • 快速的变温速率(仅受基材和薄膜限制)
  • 高温可达1175,(10e-8mbar 时1200℃)
  • 高精度±0.1℃
  • 功率范围:100W~350W


大面积PLD


根据用户需求灵活设计,升级为大面PLD系统。


  • 可提供4“、6”、8“大尺寸晶圆
  • 采用125 Hz工业 LEAPlaser 激光束
  • 基板和激光两种扫描方式
  • 标准基板最高 800°C(可选 1000°C)


控制软件


控制软件
控制软件


SURFACE的Laser MBE设备均是高度自动化的,可以自动控制整个沉积过程,从而确保设备易于操作。


多个工艺步骤被合并到一个沉积程序中,直观的工艺过程可视化操作,高度灵活的数据记录和导出,优异的自我测试能力。


升级到Cluster系统


Cluster系统
Cluster系统


Laser MBE可以轻松升级为功能齐备的cluster系统。在PLD主腔室和Load-lock进样室中间插入中央cluster传输模块。模块化设计和轮式支架简化了升级过程,可根据需要和预算来升级系统。




 

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