氮化镓厚膜晶片

产品型号

Item

GaN-T-N

GaN-T-S

尺寸

Dimensions

Ф 2"

厚度

Thickness

20 μm, 30 μm

30 μm, 90 μm

导电类型
Conduction Type

N-type

Semi-Insulating

电阻率
Resistivity(300K)

< 0.5 Ω·cm

>10⁶ Ω·cm

位错密度
Dislocation Density

Less than 1x10₈ cm^-2

包装

Package

在100级洁净室氮气保护下包装，每盒25片。

产品型号

Item

GaN-FS-N

尺寸

Dimensions

Ф 50.8mm ± 1mm

厚度

Thickness

260 ± 20 μm

导电类型
Conduction Type

N-type

Semi-Insulating

电阻率
Resistivity(300K)

< 0.5 Ω·cm

>10⁶ Ω·cm

位错密度
Dislocation Density

Less than 5x10⁶ cm^-2

抛光
Polishing Front Surface:

Ra < 0.2nm. Epi-ready polished

Back Surface: 1. Fine ground 2. Rough grinded

包装

Package

在100级洁净室氮气保护下包装，每片独立包装。

产品型号

Item

GaN-FS-N-1.5

尺寸

Dimensions

Ф 38.1mm ± 0.5mm

厚度

Thickness

260 ± 20 μm

导电类型
Conduction Type

N-type

电阻率

Resistivity(300K)

< 0.5 Ω·cm

抛光

Polishing

Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished

Back Surface: 1. Fine ground   2. Rough grinded

包装

Package

在100级洁净室氮气保护下包装，每片独立包装。