光刻胶/抗蚀剂-特殊工艺用光刻胶

概述产品特点紫外光刻胶电子束光刻胶特殊工艺用胶光刻胶理论

光刻胶

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特殊工艺用光刻胶

Special manufacture/experimental sample

型号	特性
导电胶 AR-PC 5090 AR-PC 5091 NEW!	电子束曝光用导电层，不含光敏物质。在绝缘衬底上做电子束曝光时，为了避免电荷累积，大家通常会选择涂一层导电胶，来消除电荷累积。在正常的曝光结束后，导电胶会溶于水中，非常容易去除，不会影响正常的电子束曝光工艺。
AR-BR 5400	双层Lift-Off工艺底层胶可以得到稳定的Lift-off结构，利于金属的沉积。在制作双层工艺时，需要和正胶AR-P 3500或AR-P 3500T配合使用。从270nm到红外区，有良好的光学透明性，热稳定性好。
AR-PC 500	耐酸碱保护胶在酸碱中有很好的耐刻蚀性能，不含光敏物质。尤其在碱性环境（40% KOH）中非常稳定。一般涂于衬底背面，防止刻蚀工艺中的化学物质损害其背面结构。503颜色为黑色，较504耐刻蚀性能稍弱。
SX AR-PC 5000/40	耐酸碱保护胶在酸碱中有很好的耐刻蚀性能，不含光敏物质。在40%的KOH和50%的HF中，具有很好的保护作用的，耐刻蚀时间可以长达数小时。另外，还可以和正胶配合使用，通过双层工艺来制作图形。
AR-P 5910	耐HF酸刻蚀光刻胶，正胶对基底有很好的粘附性，一般用于低浓度的HF，在5% 以下的HF 酸中有很好的保护作用。
X AR-P 5900/4	耐碱刻蚀光刻胶，正胶主要用于耐碱刻蚀以及保护层。光刻胶可以在2n（2mol/L）的NaOH中可以稳定很长时间。
SX AR-PC 5000/80	聚酰亚胺光刻胶，不含光敏物质热稳定性光刻胶，在400℃时仍然很稳定。不含光敏物质，但是可以和正胶配合使用，通过双层工艺来制作图形。可以用于制作传感器材料、保护层及绝缘层。
SX AR-PC 5000/82	聚酰亚胺光刻胶，紫外正胶热稳定性光刻胶，正胶，在400℃时仍然很稳定。具有良好的耐等离子刻蚀性能，可用于离子注入工艺。
X AR-P 5800/7	深紫外曝光胶，正胶深紫外曝光（248 - 265 nm 和300 - 450 nm），在这个波长范围内，光刻胶的透射率高。耐刻蚀性能好。适合接触曝光，曝光过程中，产生的氮气少，可以提高图形质量。
SX AR-P 3500/6	全息曝光用胶，正胶在长波段具有很好的灵敏度，敏感波段为（308 – 500nm），主要用于全息曝光工艺。
SX AR-N 4810/1	有机溶剂显影光刻胶（用于无水环境），负胶基于PMMA的负胶，曝光波长230 – 440nm。主要用于工艺中衬底材料对水敏感，需要无水环境操作的情况。采用有机溶剂显影，避免了水或潮气对衬底材料的破坏。
SX AR-P 8100.04/1 NEW!	PPA直写胶适用于热探针直写及电子束曝光，高分辨率（10nm），无需显影过程，涂胶厚度：100nm@4000rpm ，200nm@1000rpm 。不含光敏物质，无需黄光室。

配套试剂
（Process chemicals）

类型	型号	特性
显影液	AR 300-26, -35	紫外光刻胶用显影液
	AR 300-44,-46,-47, -475	紫外/电子束光刻胶用显影液
	AR 600-50,-51,-55,-56	PMMA胶用显影液
定影液	AR 600-60,-61	电子束光刻胶用定影液
除胶剂	AR 300-70, -72, -73,600-70	紫外/电子束光刻胶用除胶剂
稀释剂	AR 600-01…09	PMMA胶稀释剂
稀释剂	AR 300-12	紫外/电子束光刻胶用稀释剂
增附剂	AR 300-80, HMDS	紫外/电子束光刻胶用增附剂

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